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    徑向溫度梯度不引起單晶材料位錯的條件

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    徑向溫度梯度不引起單晶材料位錯的條件

    發布日期:2019-12-17 00:00 來源:http://www.dairect.com 點擊:

    徑向溫度梯度不引起位錯產生的條件為:在實際的晶體生長中,由于A1203材料熔點很高,為了獲得足夠的化料溫度和維持較高的正常的晶體生長溫度,熱場設計的都比較緊湊,外界條件的波動往往造成溫度梯度的不穩定變化。同時,實際生長晶體中坩堝與晶體的直徑比例一般都不太合理(如生長Φ50mm晶體使用Φ80mm坩堝),這樣也造成了大的溫度梯度。同時由于熔體中不規則熱對流的存在,造成了晶體生長速率的微觀起伏,從而也影響晶體的完整性。

    所以目前國內外還都沒有像硅單晶那樣能制備出無位錯的藍寶石單晶。為了降低晶體缺陷和有利于雜質的揮發(較大的熔體自由表面)適當加大坩堝直徑,控制比較合理的坩堝與晶體直徑比是至關重要的。為此,應當在現有基礎上改進熱場設計,以期降低位錯密度。

    結果發現,用熔融的KOH在290℃腐蝕15min效果Z佳。

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