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    單晶材料硅中可能出現的缺陷

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    單晶材料硅中可能出現的缺陷

    發布日期:2020-07-16 00:00 來源:http://www.dairect.com 點擊:

    單晶硅缺陷,是對于晶體的周期性對稱的破壞,使得實際的單晶材料晶體偏離了理想晶體的晶體結構。在各種缺陷之中,有著多種分類方式,如果按照缺陷的維度,可以分為以下幾種缺陷:

    點缺陷:在晶體學中,點缺陷是指在三維尺度上都很小的,不超過幾個原子直徑的缺陷。其在三維尺寸均很小,只在某些位置發生,只影響鄰近幾個原子,有被稱為零維缺陷。

    線缺陷:線缺陷指二維尺度很小而第三維尺度很大的缺陷,也就是位錯。我們可以通過電鏡等來對其進行觀測。

    面缺陷:面缺陷經常發生在兩個不同相的界面上,或者同一硅單晶晶體內部不同晶疇之間。界面兩邊都是周期排列點陣結構,而在界面處則出現了格點的錯位。我們可以用光學顯微鏡觀察面缺陷。

    體缺陷:所謂體缺陷,是指在晶體中較大的尺寸范圍內的晶格排列的不規則,比如包裹體、氣泡、空洞等。

    熱點缺陷有兩種基本形式:弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷。硅單晶定向中空位和間隙原子在熱平衡時的濃度與溫度有關。溫度愈高,平衡濃度愈大。高溫生長的硅單晶,在冷卻過程中過飽和的間隙原子和空位要消失,其消失的途徑是:空位和間隙原子相遇使復合消失;擴散到晶體表面消失;或擴散到位錯區消失并引起位錯攀移。間隙原子和空位目前尚無法觀察。

    如何檢測單晶材料硅中可能出現的缺陷

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