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    • 晶體生長的必要條件藍寶石晶體定向

      藍寶石晶體定向根據晶體生長時體系中存在的——由熔體(m)向晶體(C)自發轉變時——兩相間自由焓的關系:Gm(T)>Gc(T),即△G=Gc(T)-Gm(T)≈△He-Te△Se-△T△Se=△T△Se<0。結晶時,△Se>
      發布時間:2015-12-09   點擊次數:110

    • 單晶材料簡介

      單晶材料相對普通的多晶體材料性能特殊,一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為借由柴克勞司基法又名晶體生長法將復晶晶體提煉成對稱的、有規律的、成幾何型的單晶晶格結構。浮區法可將低純度硅晶體提煉成對稱的、有規律的、成幾何型的單晶晶格
      發布時間:2015-11-25   點擊次數:187

    • 晶體定向切割方法單晶定向

      單晶定向各向異性是晶體的本征特性,即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能,在應用時,根據使用目的不同,須對晶體進行不同的定向切割.例如,要制作性能優異的Si壓力傳感器,須利用Si單晶在(001)面上
      發布時間:2015-11-20   點擊次數:430

    • 藍寶石晶體定向粘接裝置的制作方法

      藍寶石晶體定向背景技術藍寶石晶體在生產加工過程中,需要對晶體的兩端進行切割、打磨,對晶體的側面進行磨圓,將晶體加工成一個規整的圓柱體。在對晶體的側面進行磨圓時,要將晶體一端的端面粘接到加工座上,將加工座安裝到專用的磨機上,在晶體與加工座
      發布時間:2015-11-19   點擊次數:610

    • 防護辦理細則介紹單晶材料

        單晶材料X射線探傷機體后,可使組織細胞和體液發生一系列變化,組織中的細胞被電離輻射滅活,從而引起以造血組織損傷為主的放射性損害。放射性損害程度受照射劑量、照射面積和部位、受照個體與組織細胞的放射敏感率以及射線的能量等多種復雜因素的影響。
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:69

    • 單晶材料關于Mobile devices偏45°晶體角度定向方案

      目的:用泡生法生長的晶體直接在X光下完成晶球C偏M45°定向到晶塊C偏M45°定向。晶球C偏M45°晶體定向(以下圖片僅供參考)一、使用DX-8BD400AG主機。1、主機可以測量晶體規格:A向高度50
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:366

    • 關于熱交換法(HEM)晶球偏角單晶定向方案

      目的:用熱交換法生長的晶體直接在X光下完成晶球C偏M45°定向到晶塊C偏M45°定向。1、使用D-8BD400ASG主機。(此設備暫無圖片參考)在此儀器上增加一套X射線裝置,即此儀器上為兩套X射線裝置(第二套為固定C向角度)&n
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:209

    • X射線衍射儀光散射技術應用藍寶石晶體定向

        藍寶石晶體定向溶液中的顆粒物質(如生物大分子、高分子聚合物、膠束等),其顆粒大小的變化往往可以反應出某些性質方面的變化。由于光散射實際上是首先通過測量大分子物質的擴散系數,進而推導出其它參數。所以,X射線衍射儀不僅可以用來進行靜態測量,
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:258

    • 單晶材料晶體的定向切割

      1 單晶材料晶體定向切割分析1.1 定向分析目前世界上所用的晶體材料如Si、等單Ge質晶體或GaAs、GaP、InP等化合物半導體晶體都是閃鋅礦結構,一般都是沿〈111〉、〈100〉或〈
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:363

    • 單晶定向切割方法

      單晶定向各向異性是晶體的本征特性,即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能,在應用時,根據使用目的不同,須對晶體進行不同的定向切割.例如,要制作性能優異的Si壓力傳感器,須利用Si單晶在(001)面上的
      發布時間:2015-11-10   點擊次數:236

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