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    • 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

      半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
      發布時間:2020-03-04   點擊次數:336

    • x射線單晶定向儀和多晶有什么區別?

      單晶定向儀主要用于測定單個純物質的晶體結構,對于已知結構,可以進行精修,對于未知結構,可以鑒定結構。要求所測的樣品為塊狀單晶。一般在表征新化合物時,建議用單晶定向儀,測量一個單晶體需要一到兩天,解析一個單晶可能要花費更多的時間。另外,培養單
      發布時間:2020-02-24   點擊次數:82

    • 單晶定向和切割操作實施辦法

      首先對被測晶體進行初步評價,用XRD常規θ/2θ掃描。理想單晶是光斑所照射的塊狀平面僅出現一種晶面的衍射峰,或者根本掃不到峰。僅有一個很強的主晶粒峰,只是取向有微小差異的,即有晶體缺陷的,可稱為準單晶。否則,就是多晶,但多晶概念太廣泛,有僅
      發布時間:2020-02-17   點擊次數:100

    • 多孔碳化硅定向陶瓷的無模高溫結晶制備工藝

      多孔陶瓷是一種含有一定量孔隙的非金屬固體粉末燒結體,用途十分廣泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一種,因具有高過濾效率和高分離效率及優異的光電性能而備受關注。良好的碳化硅粉末堆積密度是制備高質量碳化硅陶瓷基礎之一,本文引入土力土質學中關于
      發布時間:2020-02-10   點擊次數:162

    • 幾種材料性能和結構對比,來展示單晶材料的優缺點

      隨著新能源行業的不斷發展,人們對動力電池的要求也越來越高,隨之而來的三元材料中鎳含量的提升,但由此帶來的正極材料穩定性問題、電解液匹配問題、大電流充電溫升過高等引發的電池失效也越來越受到人們的關注,因此,單晶材料應運而生,不僅僅增強了正極材
      發布時間:2020-01-15   點擊次數:252

    • 現階段單晶材料企業面臨哪些問題

      單晶材料行業作為半導體產業的直接上游,是半導體行業技術進步并不斷發展的基石。近年來,隨著半導體行業向高質量發展轉變,半導體級單晶硅材料行業對市場參與者的研發能力、生產能力及品質管控能力均提出了很高的要求,而缺乏高素質的研發人員和有經驗的生產
      發布時間:2020-01-06   點擊次數:102

    • 丹東新東方晶體儀器祝大家元旦快樂!

        元旦將至,新年初始,需活動拇指。多發短信至親朋好友以通經脈暖氣血,此乃利國民身心健康之大計也。在這個溫馨幸??鞓访篮玫臅r刻,特別的祝福送給特別的你,祝元旦快樂,事事如意!丹東新東方祝新老客戶元旦快樂!丹東新東方晶體儀器有限公司成立于19
      發布時間:2019-12-31   點擊次數:177

    • 單晶硅與多晶硅的區別簡介

      光伏太陽能電池板分為單晶、多晶和非晶硅,現在大多數單晶定向主要以單晶和多晶為材料。那么單晶硅與多晶硅有什么區別呢?單晶(monocrystal,monocrystalline,singlecrystal),即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規
      發布時間:2019-12-23   點擊次數:224

    • 徑向溫度梯度不引起單晶材料位錯的條件

      徑向溫度梯度不引起位錯產生的條件為:在實際的晶體生長中,由于A1203材料熔點很高,為了獲得足夠的化料溫度和維持較高的正常的晶體生長溫度,熱場設計的都比較緊湊,外界條件的波動往往造成溫度梯度的不穩定變化。同時,實際生長晶體中坩堝與晶體的直徑
      發布時間:2019-12-17   點擊次數:86

    • 化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

      從實驗可知,用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好,得到的腐蝕圖像清晰、準確。且Z佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來,單晶材料晶體生
      發布時間:2019-12-09   點擊次數:54

    • 藍寶石晶體定向外界條件變化容易造成晶格排列錯位

      藍寶石晶體(0001)面和(1120)面的位錯腐蝕坑呈現不同的形狀是由晶體所屬的點群和晶體結構所決定的?;瘜W腐蝕劑的作用就是破壞晶體內部分子或原子間相互作用鍵,鍵合力較小的首先被破壞。而在晶體生長過程中位錯也主要產生在相互鍵合較弱的分子或原
      發布時間:2019-12-02   點擊次數:65

    • 單晶定向用NaOH對藍寶石進行化學腐蝕法試驗

      半導體晶體的內在質量、晶體缺陷、雜質濃度等直接關系到外延層和器件的質量及成品率。準確地顯示出晶體缺陷、研究其形成機理和控制及消除技術對制備高質量晶體是非常重要的。單晶定向主要研究了用化學腐蝕的方法顯示藍寶石單晶的位錯缺陷的條件,為提高晶體質
      發布時間:2019-11-25   點擊次數:57

    • 藍寶石晶體定向用KOH進行化學腐蝕

      藍寶石性質穩定,常溫條件下難與酸、堿反應。但在高溫條件下用熔融的KOH會對藍寶石單晶產生化學腐蝕。不同腐蝕時間的腐蝕結果的密度為3.98g/cm3。其化學性能非常穩定,一般不溶于水,不受酸、堿腐蝕。藍寶石的硬度很高,為莫氏硬度9級,僅次于Z
      發布時間:2019-11-18   點擊次數:74

    • 化學腐蝕法研究藍寶石晶體定向中的位錯缺陷

      為了適應工業化藍寶石晶體定向的需求目前采用人工方法制備藍寶石晶體則成為獲得大直徑、高完整性和按要求晶面生長單晶的主要方法。藍寶石晶體的生長方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、導膜法(EFG法)、感應溫場上移法(1FUS法)
      發布時間:2019-11-11   點擊次數:118

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