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    • 單晶定向儀在目前晶體切割加工中的作用

      在X射線定向儀器設備自動化程度迅速提高的今天,國產單晶定向儀器雖算不上高精度自動化儀器,但它在實際工作中發揮很大的作用.在以往的應用中,人們只利用它的一種功能一測定已知晶面與某結晶面的偏差。這種測偏工作只能先用X射線單晶儀照勞厄相或定向生長
      發布時間:2020-06-28   點擊次數:102

    • 基于碳化硅單晶定向的可以監測柔性電子器件

      軟光刻和印刷技術的進展促進了可拉伸和可彎曲電子產品的開發方面巨大發展,相對傳統硬質的平臺提供了更多的新的令人興奮的功能性。一系列的柔性應用已經從基礎研究轉變為商業化產品,包括可彎折顯示器,用于跟蹤生物數據的智能手表和可穿戴的紫外劑量計。盡管
      發布時間:2020-06-19   點擊次數:195

    • 半導體單晶定向光學法的使用

      目前,半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的
      發布時間:2020-06-12   點擊次數:145

    • 單晶材料檢測,項目、標準這里都有

      單晶材料分為天然晶體和人工晶體,隨著技術的發展,目前天然晶體已經不能滿足人們的需求,于是各種人工單晶材料就被相繼開發出來。單晶材料被廣泛用于電子工業、半導體工業、光學工業、機械加工業、鐘表行業、超聲及壓電技術等領域。所以單晶材料檢測在這些行
      發布時間:2020-06-05   點擊次數:171

    • 單晶定向材料的優點和不足有哪些

      單晶定向材料其優點是:(1)碳化硅單載流子器件漂移區薄,開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。(3)碳化硅有高的熱導率,因此碳化硅
      發布時間:2020-05-29   點擊次數:189

    • 碳化硅定向材料有哪些特征

      碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半導體材料,也是元素周期表中V族元素中一種固態碳化物單晶材料。SiC由碳原子和硅原子組成,但其晶體結構具有同質多型體的特點。在半導體領域常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種,SiC與其它半導體材料具有相
      發布時間:2020-05-18   點擊次數:124

    • 單晶硅片行業近幾年新增產能

      近2-3年,由于單晶Perc電池產業鏈成熟、技術指標不斷超預期所帶來的效率和性價比優勢,帶動電池片廠商紛紛升級和加碼單晶Perc產能,包括對原有單晶電池產線的Perc化升級和新增單晶材料Perc電池產能。2017-2018年是原有單晶電池產
      發布時間:2020-05-11   點擊次數:148

    • 2020年單晶硅片材料行業市占率預計能有多少

      晶硅光伏電池體系主要分為單晶和多晶。單晶通過旋轉提拉的工藝將多晶硅料制成單晶硅棒(長晶工藝首先制成圓棒,再通過切方制成方棒),多晶通過鑄錠工藝將多晶硅料制成多晶硅錠,硅棒/硅錠再通過切片工序分別制成單晶/多晶硅片。單晶材料由于內部原子排列有
      發布時間:2020-05-06   點擊次數:268

    • 半導體碳化硅單晶激光定向

      目前,半導體的研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的法向生長
      發布時間:2020-04-29   點擊次數:214

    • 小角晶界對單晶材料的影響有哪些

      在單晶材料硅晶體生長過程中,由于氣相組分過飽和使晶坯邊緣進行擇優生長,從而產生了偏離籽晶方向的晶格失配區域,在晶格失配區域,不同晶向的晶粒之間形成晶界。晶界通常由擴展邊緣和螺旋位錯構成,并貫穿整個晶錠,這對器件結構是致命的??拷w邊緣的小
      發布時間:2020-04-20   點擊次數:109

    • 硅單晶材料多型缺陷有什么影響

      提高硅晶體質量,就意味著必須降低晶體中得缺陷,正如單晶材料設備廠家所說,PVT法生長硅單晶需要控制的工藝參數較多,并且這些參數在生長過程中不斷發生變化,所以對晶體中的缺陷控制比較困難。硅單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯、層錯和小角晶界等。
      發布時間:2020-04-16   點擊次數:101

    • 碳化硅單晶的微管缺陷

      微管缺陷嚴重阻礙了多種SiC單晶定向器件的商業化,被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數關于微管缺陷形成機制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯相結合的Frank理論。生長過程中,沿超螺旋位錯核心方向的高應變能密度會導致該處優先升華
      發布時間:2020-04-09   點擊次數:609

    • 半導體碳化硅單晶高溫化學氣相沉積法

      通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
      發布時間:2020-04-04   點擊次數:226

    • 碳化硅物理氣相傳輸法

      PVT法生長SiC單晶材料一般采用感應加熱方式,在真空下或惰性氣體氣氛保護的石墨坩堝中,以高純SiC粉為原料,在一定的溫度和壓力下,固態SiC粉在高溫下發生分解升華,生成具有一定結構形態的氣相組分SimCn,由于石墨坩堝反應腔軸向存在著溫度
      發布時間:2020-03-24   點擊次數:135

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